Das G.Skill F4-3200C16D-32GIS ist ein Kit aus zwei 16-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) der Aegis-Serie von G.Skill. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die Module sind auf Latenzen von 16-18-18-38 bei 3200 MHz programmiert und benötigen eine Spannung von 1,35 Volt. Intels XMP 2.0 wird unterstützt.   Typ SDRAM-DDR4 Farbe schwarz EAN 4713294224415 Hersteller-Nr. F4-3200C16D-32GIS Serie Aegis Kapazität 32 GB (2 x 16 GB) Anzahl 2 Stück Bauform DIMM Channel geeignet Dual-Channel Profile INTEL XMP (Version 2.0) Anschluss 288-Pin Spannung 1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt) Standard DDR4-3200 (PC4-25600) Physikalischer Takt 1600 MHz Timings CAS Latency (CL) 16 RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 18 RAS-Precharge-Time (tRP) 18 Row-Active-Time (tRAS) 38 Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability". Gewicht 100 Gramm

Das Corsair CMW32GX4M2D3600C18 ist ein Kit aus zwei 16-GB-DDR4-3600-Speichermodulen (PC4-28800) aus der Vengeance RGB PRO Serie. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die 288-Pin Module unterstützen eine Latenz von 18-22-22-42 bei 3600 MHz und benötigen 1,35 Volt Spannung. Die Vengeance RGB PRO Serie verfügt über maßgeschneiderte Hochleistungs-Kühlkörper mit einstellbarer LED-Beleuchtung.   Typ SDRAM-DDR4 Farbe schwarz EAN 0840006620778 Hersteller-Nr. CMW32GX4M2D3600C18 Serie Vengeance RGB PRO Kapazität 32 GB (2 x 16 GB) Anzahl 2 Stück Bauform DIMM Beleuchtung Farbe RGB kompatibel ICUE Profile INTEL XMP (Version 2.0) Anschluss 288-Pin Spannung 1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt) Standard DDR4-3600 (PC4-28800) Physikalischer Takt 1800 MHz Timings CAS Latency (CL) 18 RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 22 RAS-Precharge-Time (tRP) 22 Row-Active-Time (tRAS) 42 Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability". Gewicht 142 Gramm