DDR4

Das G.Skill F4-3000C16D-32GISB ist ein Dual-Channel Kit aus zwei 16-GB-DDR4-3000-Speichermodulen (PC4-24000) aus der Aegis-Serie von G.Skill. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die Module sind auf eine Latenz von 16-18-18-38 bei 3000 MHz programmiert und benötigen eine Spannung von 1,35 Volt. Intels XMP Version 2.0 wird unterstützt.   Typ SDRAM-DDR4 Farbe schwarz EAN 4719692013460 Hersteller-Nr. F4-3000C16D-32GISB Serie Aegis Kapazität 32 GB (2 x 16 GB) Anzahl 2 Stück Bauform DIMM Channel geeignet Dual-Channel Profile INTEL XMP (Version 2.0) Anschluss 288-Pin Spannung 1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt) Standard DDR4-3000 (PC4-24000) Physikalischer Takt 1500 MHz Timings CAS Latency (CL) 16 RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 18 RAS-Precharge-Time (tRP) 18 Row-Active-Time (tRAS) 38 Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability". Gewicht 33 Gramm WEEE-Nummer 54978142 

Das G.Skill F4-3200C16D-32GIS ist ein Kit aus zwei 16-GB-DDR4-3200-Speichermodulen (PC4-25600) der Aegis-Serie von G.Skill. Die Gesamtkapazität beträgt 32 GB. Die Module sind auf Latenzen von 16-18-18-38 bei 3200 MHz programmiert und benötigen eine Spannung von 1,35 Volt. Intels XMP 2.0 wird unterstützt.   Typ SDRAM-DDR4 Farbe schwarz EAN 4713294224415 Hersteller-Nr. F4-3200C16D-32GIS Serie Aegis Kapazität 32 GB (2 x 16 GB) Anzahl 2 Stück Bauform DIMM Channel geeignet Dual-Channel Profile INTEL XMP (Version 2.0) Anschluss 288-Pin Spannung 1,35 Volt (von 1,2 bis 1,35 Volt) Standard DDR4-3200 (PC4-25600) Physikalischer Takt 1600 MHz Timings CAS Latency (CL) 16 RAS-to-CAS-Delay (tRCD) 18 RAS-Precharge-Time (tRP) 18 Row-Active-Time (tRAS) 38 Weitere Informationen DDR4 ist die Weiterentwicklung von DDR3 und bietet gegenüber dem Vorgänger eine Reihe von Neuerungen und Vorzügen wie z.B. ein bis zu 40% niedrigerer Energieverbrauch, höhere Geschwindigkeiten, höhere Datendichte (ermöglicht Speichermodule mit einer Kapazität von bis zu 128 GB, zukünftig bis 512 GB) sowie verbesserte Stabilität im Betrieb durch fortschrittliche Fehlerkorrekturtechniken wie CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) und "Per DRAM Adressability". Gewicht 100 Gramm